3 月 13 日消息，三星電子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨頭正在加速推進(jìn)?3D DRAM 的商用化，但遠(yuǎn)不如美光公司（從 2019 年開(kāi)始進(jìn)行 3D DRAM 研究，獲得的專利數(shù)量是兩家公司的 2 ~ 3 倍）。

12 日，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界消息稱，三星電子和 SK 海力士的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示將加速 3D DRAM 商業(yè)化，他們認(rèn)為 3D DRAM 是克服 DRAM 物理局限性的一種方法。

在首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上，三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室室長(zhǎng)李鐘明表示:“3D DRAM 被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?！?/p>

此外，負(fù)責(zé) SK 海力士未來(lái)技術(shù)研究所的 SK 海力士副總經(jīng)理車善龍也表示：“將于明年公開(kāi) 3D DRAM 的電子特性細(xì)節(jié)，從而確定開(kāi)發(fā)方向?！?/p>

3D DRAM 是一種采用全新結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)芯片。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有 DRAM 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)是通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高密度，但隨著線寬進(jìn)入 10nm 范圍，業(yè)界開(kāi)始面臨電容器漏電和干擾等物理限制。為了避免或削弱這種影響，業(yè)界引進(jìn)了高介電常數(shù) (高 K) 沉積材料和極紫外 (EUV) 設(shè)備等新材料和設(shè)備。但半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，制造 10nm 或更先進(jìn)芯片的小型芯片將為制造商帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。

三星電子和 SK 海力士今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的高端 DRAM 線寬為 12 納米?？紤]到目前 DRAM 線寬微縮至 1nm 將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化將會(huì)是一種必然，而不是一種方向。

當(dāng)然，與現(xiàn)有的 DRAM 市場(chǎng)不同，據(jù)所知 3D DRAM 市場(chǎng)目前還沒(méi)有絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)者，因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用產(chǎn)品的活躍，業(yè)界也開(kāi)始增加對(duì)高性能、大容量存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求。

相信隨著三星電子和 SK 海力士開(kāi)始加快 3D DRAM 技術(shù)的商用化，我們未來(lái)也將會(huì)更多廠商甚至中國(guó)廠商推出類似的技術(shù)方案和產(chǎn)品，敬請(qǐng)期待。